Works matching IS 10637826 AND DT 2019 AND VI 53 AND IP 3
1
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 406, doi. 10.1134/S1063782619030187
- Tsai, Jung-Hui;
- Lin, Pao-Sheng;
- Chen, Yu-Chi;
- Liou, Syuan-Hao;
- Niu, Jing-Shiuan
- Article
2
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 400, doi. 10.1134/S1063782619030217
- Volodin, V. A.;
- Krivyakin, G. K.;
- Ivlev, G. D.;
- Prokopyev, S. L.;
- Gusakova, S. V.;
- Popov, A. A.
- Article
3
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 350, doi. 10.1134/S1063782619030102
- Koryakin, A. A.;
- Kukushkin, S. A.;
- Sibirev, N. V.
- Article
4
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 375, doi. 10.1134/S1063782619030060
- Gulyamov, G.;
- Erkaboev, U. I.;
- Sharibaev, N. Yu.;
- Gulyamov, A. G.
- Article
5
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 388, doi. 10.1134/S1063782619030096
- Kalygina, V. M.;
- Lygdenova, T. Z.;
- Novikov, V. A.;
- Petrova, Yu. S.;
- Tsymbalov, A. V.;
- Yaskevich, T. M.
- Article
6
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 385, doi. 10.1134/S1063782619030072
- Ivanov, P. A.;
- Potapov, A. S.;
- Samsonova, T. P.
- Article
7
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 395, doi. 10.1134/S1063782619030059
- Buchin, E. Yu.;
- Naumov, V. V.;
- Vasilyev, S. V.
- Article
8
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 345, doi. 10.1134/S1063782619030023
- Babichev, A. V.;
- Gladyshev, A. G.;
- Kurochkin, A. S.;
- Kolodeznyi, E. S.;
- Nevedomskii, V. N.;
- Karachinsky, L. Ya.;
- Novikov, I. I.;
- Sofronov, A. N.;
- Egorov, A. Yu.
- Article
9
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 368, doi. 10.1134/S1063782619030084
- Kabalnov, Yu. A.;
- Trufanov, A. N.;
- Obolensky, S. V.
- Article
10
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 339, doi. 10.1134/S1063782619030205
- Vinichenko, A. N.;
- Safonov, D. A.;
- Kargin, N. I.;
- Vasil'evskii, I. S.
- Article
11
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 379, doi. 10.1134/S1063782619030151
- Podolska, N. I.;
- Rodin, P. B.
- Article
12
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 296, doi. 10.1134/S1063782619030175
- Shuman, V. B.;
- Lodygin, A. N.;
- Portsel, L. M.;
- Yakovleva, A. A.;
- Abrosimov, N. V.;
- Astrov, Yu. A.
- Article
13
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 361, doi. 10.1134/S1063782619030138
- Nitsuk, Yu. A.;
- Kiose, M. I.;
- Vaksman, Yu. F.;
- Smyntyna, V. A.;
- Yatsunskyi, I. R.
- Article
14
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 332, doi. 10.1134/S1063782619030230
- Zvonkov, B. N.;
- Vikhrova, O. V.;
- Danilov, Yu. A.;
- Dorokhin, M. V.;
- Kudrin, A. V.;
- Kalentyeva, I. L.;
- Larionova, E. A.;
- Kovalskiy, V. A.;
- Soltanovich, O. A.
- Article
15
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 321, doi. 10.1134/S1063782619030229
- Zhukov, N. D.;
- Mikhailov, A. I.;
- Mosiyash, D. S.
- Article
16
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 313, doi. 10.1134/S1063782619030163
- Privezentsev, V. V.;
- Kulikauskas, V. S.;
- Skuratov, V. A.;
- Zilova, O. S.;
- Burmistrov, A. A.;
- Presnyakov, M. Yu.;
- Goryachev, A. V.
- Article
17
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 310, doi. 10.1134/S1063782619030114
- Makhniy, V. P.;
- Vakhnyak, N. D.;
- Kinzerska, O. V.;
- Pyryatynsky, Yu. P.
- Article
18
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 326, doi. 10.1134/S1063782619030047
- Baidus, N. V.;
- Kukushkin, V. A.;
- Nekorkin, S. M.;
- Kruglov, A. V.;
- Reunov, D. G.
- Article
19
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 298, doi. 10.1134/S1063782619030199
- Veinger, A. I.;
- Kochman, I. V.;
- Okulov, V. I.;
- Govorkova, T. A.;
- Andriichuk, M. D.;
- Paranchich, L. D.
- Article
20
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 304, doi. 10.1134/S106378261903014X
- Novikov, G. F.;
- Rabenok, E. V.;
- Orishina, P. S.;
- Gapanovich, M. V.;
- Odin, I. N.
- Article
21
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 291, doi. 10.1134/S1063782619030035
- Badalova, Z. I.;
- Abdullayev, N. A.;
- Azhdarov, G. H.;
- Aliguliyeva, Kh. V.;
- Gahramanov, S. Sh.;
- Nemov, S. A.;
- Mamedov, N. T.
- Article
22
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 3, p. 273, doi. 10.1134/S1063782619030126
- Mikhailova, M. P.;
- Moiseev, K. D.;
- Yakovlev, Yu. P.
- Article
