Works matching IS 10637826 AND DT 2018 AND VI 52 AND IP 4
1
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 531, doi. 10.1134/S106378261804005X
- Babenko, Ia. A.;
- Yugova, I. A.;
- Poltavtsev, S. V.;
- Salewski, M.;
- Akimov, I. A.;
- Kamp, M.;
- Höfling, S.;
- Yakovlev, D. R.;
- Bayer, M.
- Article
2
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 526, doi. 10.1134/S1063782618040139
- Entin, M. V.;
- Mahmoodian, M. M.;
- Magarill, L. I.
- Article
3
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 523, doi. 10.1134/S1063782618040176
- Kibis, O. V.;
- Dini, K.;
- Iorsh, I. V.;
- Shelykh, I. A.
- Article
4
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 548, doi. 10.1134/S1063782618040310
- Yakovlev, D. R.;
- Feng, D. H.;
- Pavlov, V. V.;
- Rodina, A. V.;
- Shornikova, E. V.;
- Mund, J.;
- Bayer, M.
- Article
5
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 519, doi. 10.1134/S1063782618040152
- Germanenko, A. V.;
- Minkov, G. M.;
- Sherstobitov, A. A.;
- Rut, O. E.;
- Dvoretski, S. A.;
- Mikhailov, N. N.
- Article
6
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 511, doi. 10.1134/S1063782618040243
- Rakhlin, M. V.;
- Belyaev, K. G.;
- Klimko, G. V.;
- Mukhin, I. S.;
- Ivanov, S. V.;
- Toropov, A. A.
- Article
7
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 543, doi. 10.1134/S1063782618040280
- Ushakov, N. M.;
- Kosobudskii, I. D.
- Article
8
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 539, doi. 10.1134/S1063782618040085
- Castelnovo, Claudio;
- Dykman, M. I.;
- Smelyanskiy, V. N.;
- Moessner, R.;
- Pryadko, L. P.
- Article
9
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 535, doi. 10.1134/S1063782618040188
- Article
10
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 514, doi. 10.1134/S1063782618040267
- Shtrom, I. V.;
- Agekyan, V. F.;
- Serov, A. Yu.;
- Filosofov, N. G.;
- Akhmadullin, R. R.;
- Krizhkov, D. E.;
- Karczewski, G.
- Article
11
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 507, doi. 10.1134/S106378261804022X
- Mironova, M. S.;
- Zubkov, V. I.;
- Dudin, A. L.;
- Glinskii, G. F.
- Article
12
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 497, doi. 10.1134/S1063782618040206
- Lebedev, D. V.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Belyaev, K. G.;
- Rakhlin, M. V.;
- Toropov, A. A.;
- Brunkov, P.;
- Vlasov, A. S.;
- Merz, J.;
- Rouvimov, S.;
- Oktyabrsky, S.;
- Yakimov, M.;
- Mukhin, I. V.;
- Shelaev, A. V.;
- Bykov, V. A.;
- Romanova, A. Yu.;
- Buryak, P. A.;
- Mintairov, A. M.
- Article
13
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 502, doi. 10.1134/S1063782618040218
- Mintairov, A. M.;
- Merz, J. L.;
- Kapaldo, J.;
- Vlasov, A. S.;
- Blundell, S. A.
- Article
14
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 493, doi. 10.1134/S1063782618040115
- Danilov, L. V.;
- Mikhailova, M. P.;
- Levin, R. V.;
- Konovalov, G. G.;
- Ivanov, E. V.;
- Andreev, I. A.;
- Pushnyi, B. V.;
- Zegrya, G. G.
- Article
15
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 485, doi. 10.1134/S1063782618040309
- Vlasov, K. R.;
- Pyataev, M. A.;
- Shorokhov, A. V.
- Article
16
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 431, doi. 10.1134/S1063782618040048
- Andronov, A. A.;
- Ikonnikov, A. V.;
- Maremianin, K. V.;
- Pozdnjakova, V. I.;
- Nozdrin, Y. N.;
- Marmalyuk, A. A.;
- Padalitsa, A. A.;
- Ladugin, M. A.;
- Belyakov, V. A.;
- Ladenkov, I. V.;
- Fefelov, A. G.
- Article
17
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 447, doi. 10.1134/S1063782618040097
- Chaldyshev, V. V.;
- Kundelev, E. V.;
- Poddubny, A. N.;
- Vasil’ev, A. P.;
- Yagovkina, M. A.;
- Chend, Y.;
- Maharjan, N.;
- Liu, Z.;
- Nakarmi, M. L.;
- Shakya, N. M.
- Article
18
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 478, doi. 10.1134/S1063782618040061
- Bagraev, N. T.;
- Klyachkin, L. E.;
- Khromov, V. S.;
- Malyarenko, A. M.;
- Mashkov, V. A.;
- Matveev, T. V.;
- Romanov, V. V.;
- Rul’, N. I.;
- Taranets, K. B.
- Article
19
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 489, doi. 10.1134/S1063782618040231
- Mozharov, A. M.;
- Vasiliev, A. A.;
- Bolshakov, A. D.;
- Sapunov, G. A.;
- Fedorov, V. V.;
- Cirlin, G. E.;
- Mukhin, I. S.
- Article
20
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 442, doi. 10.1134/S1063782618040279
- Takayama, O.;
- Dmitriev, P.;
- Shkondin, E.;
- Yermakov, O.;
- Panah, M.;
- Golenitskii, K.;
- Jensen, F.;
- Bogdanov, A.;
- Lavrinenko, A.
- Article
21
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 468, doi. 10.1134/S1063782618040292
- Ushanov, V. I.;
- Chaldyshev, V. V.;
- Preobrazhenskiy, V. V.;
- Putyato, M. A.;
- Semyagin, B. R.
- Article
22
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 473, doi. 10.1134/S1063782618040036
- Altukhov, I. V.;
- Dizhur, S. E.;
- Kagan, M. S.;
- Khvalkovskiy, N. A.;
- Paprotskiy, S. K.;
- Vasil’evskii, I. S.;
- Vinichenko, A. N.
- Article
23
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 420, doi. 10.1134/S1063782618040073
- Reddy, Baikadi Pranay Kumar;
- Teja, Karri Babu Ravi;
- Kandpal, Kavindra
- Article
24
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 465, doi. 10.1134/S1063782618040140
- Filatov, D. O.;
- Antonov, I. N.;
- Sinutkin, D. Yu.;
- Liskin, D. A.;
- Gorshkov, A. P.;
- Gorshkov, O. N.;
- Kotomina, V. E.;
- Shenina, M. E.;
- Tikhov, S. V.;
- Korotaeva, I. S.
- Article
25
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 462, doi. 10.1134/S1063782618040103
- Cirlin, G. E.;
- Reznik, R. R.;
- Shtrom, I. V.;
- Khrebtov, A. I.;
- Samsonenko, Yu. B.;
- Kukushkin, S. A.;
- Kasama, T.;
- Akopian, N.;
- Leonardo, L.
- Article
26
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 458, doi. 10.1134/S106378261804019X
- Larionov, A. V.;
- Brichkin, A. S.;
- Höfling, S.;
- Kulakovskii, V. D.
- Article
27
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 452, doi. 10.1134/S1063782618040164
- Gubaydullin, A. R.;
- Symonds, C.;
- Bellessa, J.;
- Ivanov, K. A.;
- Kolykhalova, E. D.;
- Sasind, M. E.;
- Pozina, G.;
- Kaliteevski, M. A.
- Article
28
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 414, doi. 10.1134/S1063782618040127
- Dong, Yu Jing;
- Gao, Yan Li
- Article
29
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 436, doi. 10.1134/S1063782618040255
- Rumyantsev, V. V.;
- Bovkun, L. S.;
- Kadykov, A. M.;
- Fadeev, M. A.;
- Dubinov, A. A.;
- Aleshkin, V. Ya.;
- Mikhailov, N. N.;
- Dvoretsky, S. A.;
- Piot, B.;
- Orlita, M.;
- Potemski, M.;
- Teppe, F.;
- Morozov, S. V.;
- Gavrilenko, V. I.
- Article
30
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 4, p. 411, doi. 10.1134/S1063782618040322
- Zalessky, V. G.;
- Kaminski, V. V.;
- Hirai, S.;
- Kubota, Y.;
- Sharenkova, N. V.
- Article