Works matching AU Kryzhanovskaya, N. V.
1
- International Journal of Nanoscience, 2007, v. 6, n. 3/4, p. 283, doi. 10.1142/S0219581X07004742
- KRYZHANOVSKAYA, N. V.;
- GLADYSHEV, A. G.;
- BLOKHIN, S. A.;
- VASIL'EV, A. P.;
- SEMENOVA, E. S.;
- ZHUKOV, A. E.;
- MAXIMOV, M. V.;
- LEDENTSOV, N. N.;
- USTINOV, V. M.;
- WARMING, T.;
- WIECZOREK, W.;
- BIMBERG, D.
- Article
2
- Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron & Neutron Techniques, 2024, v. 18, n. 2, p. 408, doi. 10.1134/S1027451024020289
- Gridchin, V. O.;
- Komarov, S. D.;
- Soshnikov, I. P.;
- Shtrom, I. V.;
- Reznik, R. R.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Cirlin, G. E.
- Article
3
- Technical Physics Letters, 2023, v. 49, p. S364, doi. 10.1134/S106378502390073X
- Gridchin, V. O.;
- Soshnikov, I. P.;
- Reznik, R. R.;
- Komarov, S. D.;
- Pirogov, E. V.;
- Lendyashova, V. V.;
- Kotlyar, K. P.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Cirlin, G. E.
- Article
4
- Technical Physics Letters, 2023, v. 49, p. S330, doi. 10.1134/S1063785023010236
- Makhov, I. S.;
- Beckman, A. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Guseva, Yu. A.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
5
- Technical Physics Letters, 2023, v. 49, p. S196, doi. 10.1134/S1063785023900728
- Gordeev, N. Yu.;
- Moiseev, E. I.;
- Fominykh, N. A.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Beckman, A. A.;
- Kornyshov, G. O.;
- Zubov, F. I.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Zhukov, A. E.;
- Maximov, M. V.
- Article
6
- Technical Physics Letters, 2022, v. 48, n. 3, p. 161, doi. 10.1134/S1063785022040186
- Mintairov, S. A.;
- Blokhin, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Maximov, M. V.;
- Maleev, N. A.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Salii, R. A.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
7
- Technical Physics Letters, 2022, v. 48, n. 2, p. 90, doi. 10.1134/S1063785022030105
- Zubov, F. I.;
- Maksimov, M. V.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Dragunova, A. S.;
- Blokhin, S. A.;
- Vorobiev, A. A.;
- Mozharov, A. M.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Zhukov, A. E.
- Article
8
- Technical Physics Letters, 2022, v. 48, n. 2, p. 74, doi. 10.1134/S1063785022030063
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Melnichenko, I. A.;
- Bukatin, A. S.;
- Kornev, A. A.;
- Filatov, N. A.;
- Shcherbak, S. A.;
- Lipovskii, A. A.;
- Dragunova, A. S.;
- Kulagina, M. M.;
- Likhachev, A. I.;
- Fetisova, M. V.;
- Reduto, I. V.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
9
- Technical Physics Letters, 2021, v. 47, n. 9, p. 685, doi. 10.1134/S1063785021070142
- Zhukov, A. E.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochii, A. M.;
- Dragunova, A. S.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Kulagina, M. M.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyi, N. A.;
- Zubov, F. I.;
- Maksimov, M. V.
- Article
10
- Technical Physics Letters, 2020, v. 46, n. 8, p. 783, doi. 10.1134/S1063785020080295
- Zhukov, A. E.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochii, A. M.;
- Dragunova, A. S.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Kulagina, M. M.;
- Mozharov, A. M.;
- Kadinskaya, S. A.;
- Simchuk, O. I.;
- Zubov, F. I.;
- Maximov, M. V.
- Article
11
- Technical Physics Letters, 2020, v. 46, n. 7, p. 629, doi. 10.1134/S1063785020070111
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Kharchenko, A. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
12
- Technical Physics Letters, 2020, v. 46, n. 6, p. 515, doi. 10.1134/S1063785020060152
- Zhukov, A. E.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochii, A. M.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Kulagina, M. M.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyi, N. A.;
- Zubov, F. I.;
- Maximov, M. V.
- Article
13
- Technical Physics Letters, 2019, v. 45, n. 12, p. 1178, doi. 10.1134/S106378501912006X
- Fetisova, M. V.;
- Kornev, A. A.;
- Bukatin, A. S.;
- Filatov, N. A.;
- Eliseev, I. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Reduto, I. V.;
- Moiseev, E. I.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
14
- Technical Physics Letters, 2019, v. 45, n. 11, p. 1111, doi. 10.1134/S1063785019110129
- Reznik, R. R.;
- Kotlyar, K. P.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Morozov, S. V.;
- Cirlin, G. E.
- Article
15
- Technical Physics Letters, 2019, v. 45, n. 10, p. 994, doi. 10.1134/S1063785019100158
- Zubov, F. I.;
- Moiseev, E. I.;
- Kornyshov, G. O.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Payusov, A. S.;
- Kulagina, M. M.;
- Kalyuzhnyi, N. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
16
- Technical Physics Letters, 2019, v. 45, n. 8, p. 847, doi. 10.1134/S1063785019080315
- Zhukov, A. E.;
- Moiseev, E. I.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Zubov, F. I.;
- Mozharov, A. M.;
- Kalyuzhnyi, N. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Blokhin, S. A.;
- Maximov, M. V.
- Article
17
- Technical Physics Letters, 2018, v. 44, n. 2, p. 112, doi. 10.1134/S1063785018020116
- Reznik, R. R.;
- Cirlin, G. E.;
- Shtrom, I. V.;
- Khrebtov, A. I.;
- Soshnikov, I. P.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Moiseev, E. I.;
- Zhukov, A. E.
- Article
18
- Semiconductors, 2023, v. 57, n. 13, p. 632, doi. 10.1134/S1063782623050184
- Zhukov, A. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Makhov, I. S.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Fominykh, N. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhyy, N. A.;
- Zubov, F. I.;
- Maximov, M. V.
- Article
19
- Semiconductors, 2023, v. 57, n. 13, p. 594, doi. 10.1134/S1063782623050093
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Blokhin, S. A.;
- Makhov, I. S.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Fominykh, N. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Kaluyzhnyy, N. A.;
- Guseva, Yu. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Zubov, F. I.;
- Kolodeznyi, E. S.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
20
- Semiconductors, 2023, v. 57, n. 11, p. 513, doi. 10.1134/S1063782623090191
- Zhukov, A. E.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Gordeev, N. Yu.;
- Serin, A. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Payusov, A. S.;
- Kornyshov, G. O.;
- Maximov, M. V.;
- Wang, Y.
- Article
21
- Semiconductors, 2023, v. 57, n. 11, p. 492, doi. 10.1134/S1063782623080134
- Novikov, I. I.;
- Nyapshaev, I. A.;
- Gladyshev, A. G.;
- Andryushkin, V. V.;
- Babichev, A. V.;
- Karachinsky, L. Yu.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Denisov, D. V.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Zhukov, A. E.;
- Egorov, A. Yu.
- Article
22
- Semiconductors, 2023, v. 57, n. 11, p. 488, doi. 10.1134/S1063782623080110
- Nadtochiy, A. M.;
- Melnichenko, I. A.;
- Ivanov, K. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Maximov, M. V.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
23
- Semiconductors, 2023, v. 57, n. 2, p. 93, doi. 10.1134/S1063782623040012
- Babichev, A. V.;
- Komarov, S. D.;
- Tkach, Yu. S.;
- Nevedomskiy, V. N.;
- Blokhin, S. A.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Gladyshev, A. G.;
- Karachinsky, L. Ya.;
- Novikov, I. I.
- Article
24
- Semiconductors, 2022, v. 56, n. 2, p. 139, doi. 10.1134/S1063782622010195
- Zhukov, A. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Moiseev, E. I.;
- Dragunova, A. S.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Maximov, M. V.;
- Gordeev, N. Yu.
- Article
25
- Semiconductors, 2021, v. 55, n. 1, p. S67, doi. 10.1134/S1063782621090256
- Zhukov, A. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Zubov, F. I.;
- Fetisova, M. V.;
- Maximov, M. V.;
- Gordeev, N. Yu.
- Article
26
- Semiconductors, 2020, v. 54, n. 9, p. 1075, doi. 10.1134/S1063782620090237
- Reznik, R. R.;
- Gridchin, V. O.;
- Kotlyar, K. P.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Morozov, S. V.;
- Cirlin, G. E.
- Article
27
- Semiconductors, 2020, v. 54, n. 9, p. 991, doi. 10.1134/S1063782620090031
- Babichev, A. V.;
- Kadinskaya, S. A.;
- Shubina, K. Yu.;
- Vasiliev, A. A.;
- Blokhin, A. A.;
- Moiseev, E. I.;
- Blokhin, S. A.;
- Mukhin, I. S.;
- Eliseyev, I. A.;
- Davydov, V. Yu.;
- Brunkov, P. N.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Egorov, A. Yu.
- Article
28
- Semiconductors, 2020, v. 54, n. 6, p. 677, doi. 10.1134/S1063782620060172
- Zhukov, A. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Moiseev, E. I.;
- Kulagina, M. M.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Maximov, M. V.
- Article
29
- Semiconductors, 2020, v. 54, n. 6, p. 650, doi. 10.1134/S1063782620060056
- Dubrovskii, V. G.;
- Reznik, R. R.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Shtrom, I. V.;
- Ubyivovk, E. D.;
- Soshnikov, I. P.;
- Cirlin, G. E.
- Article
30
- Semiconductors, 2020, v. 54, n. 2, p. 263, doi. 10.1134/S1063782620020177
- Moiseev, E. I.;
- Maximov, M. V.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Simchuk, O. I.;
- Kulagina, M. M.;
- Kadinskaya, S. A.;
- Guina, M.;
- Zhukov, A. E.
- Article
31
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 14, p. 1888, doi. 10.1134/S106378261914015X
- Moiseev, E. I.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Zubov, F. I.;
- Mikhailovskii, M. S.;
- Abramov, A. N.;
- Maximov, M. V.;
- Kulagina, M. M.;
- Guseva, Yu. A.;
- Livshits, D. A.;
- Zhukov, A. E.
- Article
32
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 8, p. 1099, doi. 10.1134/S1063782619080220
- Zhukov, A. E.;
- Moiseev, E. I.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Blokhin, S. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Guseva, Yu. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Mozharov, A. M.;
- Zubov, F. I.;
- Maximov, M. V.
- Article
33
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 2, p. 205, doi. 10.1134/S1063782619020027
- Basalaeva, L. S.;
- Nastaushev, Yu. V.;
- Dultsev, F. N.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Moiseev, E. I.
- Article
34
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 16, p. 2096, doi. 10.1134/S1063782618160145
- Kotlyar, K. P.;
- Soshnikov, I. P.;
- Morozov, I. A.;
- Berezovskaya, T. N.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Kudryashov, D. A.;
- Lysak, V. V.
- Article
35
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 12, p. 1621, doi. 10.1134/S1063782618120059
- Asryan, L. V.;
- Zubov, F. I.;
- BalezinaPolubavkina, Yu. S.;
- Moiseev, E. I.;
- Muretova, M. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
36
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 11, p. 1416, doi. 10.1134/S1063782618110258
- Cirlin, G. E.;
- Reznik, R. R.;
- Samsonenko, Yu. B.;
- Khrebtov, A. I.;
- Kotlyar, K. P.;
- Ilkiv, I. V.;
- Soshnikov, I. P.;
- Kirilenko, D. A.;
- Kryzhanovskaya, N. V.
- Article
37
- Semiconductors, 2013, v. 47, n. 12, p. 1656, doi. 10.1134/S1063782613120233
- Zubov, F. I.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.;
- Livshits, D. A.;
- Payusov, A. S.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Savelyev, A. V.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Gordeev, N. Yu.
- Article
38
- Semiconductors, 2010, v. 44, n. 10, p. 1338, doi. 10.1134/S1063782610100167
- Tsatsul'nikov, A. F.;
- Zavarin, E. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Lundin, W. V.;
- Saharov, A. V.;
- Usov, S. O.;
- Brunkov, P. N.;
- Goncharov, V. V.;
- Cherkashin, N. A.;
- Hytch, M.
- Article
39
- Semiconductors, 2010, v. 44, n. 7, p. 857, doi. 10.1134/S1063782610070043
- Egorov, A. Yu.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Pirogov, E. V.;
- Pavlov, M. M.
- Article
40
- Semiconductors, 2010, v. 44, n. 7, p. 949, doi. 10.1134/S1063782610070201
- Usov, S. O.;
- Zavarin, E. E.;
- Tsatsul’nikov, A. F.;
- Lundin, V. V.;
- Sakharov, A. V.;
- Nikolaev, A. E.;
- Sinitsyn, M. A.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Troshkov, S. I.;
- Ledentsov, N. N.
- Article
41
- Semiconductors, 2010, v. 44, n. 6, p. 808, doi. 10.1134/S1063782610060205
- Tsatsulnikov, A. F.;
- Lundin, W. V.;
- Sakharov, A. V.;
- Zavarin, E. E.;
- Usov, S. O.;
- Nikolaev, A. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Synitsin, M. A.;
- Sizov, V. S.;
- Zakgeim, A. L.;
- Mizerov, M. N.
- Article
42
- Semiconductors, 2010, v. 44, n. 6, p. 828, doi. 10.1134/S1063782610060242
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Lundin, W. V.;
- Nikolaev, A. E.;
- Tsatsul'nikov, A. F.;
- Sakharov, A. V.;
- Pavlov, M. M.;
- Cherkachin, N. A.;
- Hÿtch, M. J.;
- Valkovsky, G. A.;
- Yagovkina, M. A.;
- Usov, S. O.
- Article
43
- Semiconductors, 2008, v. 42, n. 7, p. 805, doi. 10.1134/S1063782608070105
- Mamutin, V. V.;
- Egorov, A. Yu.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Mikhrin, V. S.;
- Nadtochy, A. M.;
- Pirogov, E. V.
- Article
44
- Semiconductors, 2006, v. 40, n. 9, p. 1101, doi. 10.1134/S106378260609020X
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Blokhin, S. A.;
- Gladyshev, A. G.;
- Maleev, N. A.;
- Kuz’menkov, A. G.;
- Arakcheeva, E. M.;
- Tanklevskaya, E. M.;
- Zhukov, A. E.;
- Vasil’ev, A. P.;
- Semenova, E. S.;
- Maximov, M. V.;
- Ledentsov, N. N.;
- Ustinov, V. M.;
- Stock, E.;
- Bimberg, D.
- Article
45
- Semiconductors, 2006, v. 40, n. 3, p. 342, doi. 10.1134/S106378260603016X
- Mikhrin, V. S.;
- Vasil'ev, A. P.;
- Semenova, E. S.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Gladyshev, A. G.;
- Musikhin, Yu. G.;
- Egorov, A. Yu.;
- Zhukov, A. E.;
- Ustinov, V. M.
- Article
46
- Semiconductors, 2005, v. 39, n. 12, p. 1415, doi. 10.1134/1.2140316
- Karachinsky, L. Ya.;
- Kettler, T.;
- Gordeev, N. Yu.;
- Novikov, I. I.;
- Maximov, M. V.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Zhukov, A. E.;
- Semenova, E. S.;
- Vasil'ev, A. P.;
- Ustinov, V. M.;
- Ledentsov, N. N.;
- Kovsh, A. R.;
- Shchukin, V. A.;
- Mikhrin, S. S.;
- Lochmann, A.;
- Schulz, O.;
- Reissmann, L.;
- Bimberg, D.
- Article
47
- Semiconductors, 2005, v. 39, n. 10, p. 1188, doi. 10.1134/1.2085268
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Gladyshev, A. G.;
- Blokhin, S. A.;
- Maksimov, M. V.;
- Semenova, E. S.;
- Vasil&'ev, A. P.;
- Zhukov, A. E.;
- Ledentsov, N. N.;
- Ustinov, V. M.;
- Bimberg, D.
- Article
48
- Semiconductors, 2005, v. 39, n. 7, p. 748, doi. 10.1134/1.1992627
- Blokhin, S. A.;
- Smirnov, A. N.;
- Sakharov, A. V.;
- Gladyshev, A. G.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Maleev, N. A.;
- Zhukov, A. E.;
- Semenova, E. S.;
- Bedarev, D. A.;
- Nikitina, E. V.;
- Kulagina, M. M.;
- Maksimov, M. V.;
- Ledentsov, N. N.;
- Ustinov, V. M.
- Article
49
- Semiconductors, 2005, v. 39, n. 6, p. 703, doi. 10.1134/1.1944862
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Egorov, A. Yu.;
- Mamutin, V. V.;
- Polyakov, N. K.;
- Tsatsul’nikov, A. F.;
- Kovsh, A. R.;
- Ledentsov, N. N.;
- Ustinov, V. M.;
- Bimberg, D.
- Article
50
- Semiconductors, 2005, v. 39, n. 1, p. 124, doi. 10.1134/1.1852660
- Samsonenko, Yu. B.;
- Cirlin, G. E.;
- Tonkikh, A. A.;
- Polyakov, N. K.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Ustinov, V. M.;
- Vorob'ev, L. E.;
- Firsov, D. A.;
- Shalygin, V. A.;
- Zakharov, N. D.;
- Werner, P.;
- Andreev, A.
- Article
