Investigation of Maximum Junction Temperature for 4H-SiC MOSFET During Unclamped Inductive Switching Test.

Published in:

Electronics & Communications in Japan, 2018, v. 101, n. 1, p. 24, doi. 10.1002/ecj.12018

By:

• AN, J. U. N. J. I. E.;
• NAMAI, M. A. S. A. K. I.;
• OKAMOTO, D. A. I.;
• YANO, H. I. R. O. S. H. I.;
• TADANO, H. I. R. O. S. H. I.;
• IWAMURO, N. O. R. I. Y. U. K. I.

Publication type:

Article