Works by FIRSOV, D. A.
1
- International Journal of Nanoscience, 2007, v. 6, n. 5, p. 319
- FÜRST, J.;
- PASCHER, H.;
- SHALYGIN, V. A.;
- VOROBJEV, L. E.;
- FIRSOV, D. A.;
- TONKIKH, A. A.;
- POLYAKOV, N. K.;
- SAMSONENKO, YU. B.;
- CIRLIN, G. E.;
- USTINOV, V. M.
- Article
2
- International Journal of Nanoscience, 2007, v. 6, n. 3/4, p. 241, doi. 10.1142/S0219581X0700464X
- FIRSOV, D. A.;
- VOROBJEV, L. E.;
- BARZILOVICH, M. A.;
- YU. PANEVIN, V.;
- MIKHAYLOV, I. V.;
- FEDOSOV, N. K.;
- SHALYGIN, V. A.;
- TONKIKH, A. A.;
- POLYAKOV, N. K.;
- SAMSONENKO, YU. B.;
- CIRLIN, G. E.;
- ZHUKOV, A. E.;
- PIKHTIN, N. A.;
- TARASOV, I. S.;
- USTINOV, V. M.;
- JULIEN, F. H.;
- SEKOWSKI, M.;
- HANNA, S.;
- SEILMEIER, A.
- Article
3
- Semiconductors, 2001, v. 35, n. 2, p. 132, doi. 10.1134/1.1349917
- Abramov, A. A.;
- Tulupenko, V. N.;
- Firsov, D. A.
- Article
4
- Semiconductors, 1999, v. 33, n. 6, p. 640, doi. 10.1134/1.1187746
- Abramov, A. A.;
- Tulupenko, V. N.;
- Vas’ko, V. T.;
- Firsov, D. A.
- Article
5
- Semiconductors, 1998, v. 32, n. 7, p. 757
- Vorob'ev, L. E.;
- Titkov, I. E.;
- Toropov, A. A.;
- Tulupenko, V. N.;
- Firsov, D. A.;
- Shalygin, V. A.;
- Shubina, T. V.;
- Towe, E.
- Article
6
- Semiconductors, 1997, v. 31, n. 12, p. 1273
- Vorob’ev, L. E.;
- Danilov, S. N.;
- Kochegarov, Yu. V.;
- Firsov, D. A.;
- Tulupenko, V. N.
- Article
7
- Semiconductors, 1997, v. 31, n. 12, p. 1280
- Vorob’ev, L. E.;
- Danilov, S. N.;
- Kochegarov, Yu. V.;
- Firsov, D. A.;
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- Article
8
- Technical Physics Letters, 2024, v. 50, n. 2, p. 171, doi. 10.1134/S1063785023180013
- Afanasjev, A. V.;
- Zubkov, V. I.;
- Ilyin, V. A.;
- Luchinin, V. V.;
- Pavlova, M. V.;
- Panov, M. F.;
- Trushliakova, V. V.;
- Firsov, D. D.
- Article
9
- Technical Physics Letters, 2020, v. 46, n. 7, p. 683, doi. 10.1134/S1063785020070160
- Firsov, D. G.;
- Konev, S. D.;
- Dubinin, O. N.;
- Evlashin, S. A.;
- Shishkovsky, I. V.
- Article
10
- Technical Physics Letters, 2020, v. 46, n. 4, p. 312, doi. 10.1134/S1063785020040033
- Babichev, A. V.;
- Pashnev, D. A.;
- Gladyshev, A. G.;
- Denisov, D. V.;
- Voznyuk, G. V.;
- Karachinsky, L. Ya.;
- Novikov, I. I.;
- Mitrofanov, M. I.;
- Evtikhiev, V. P.;
- Firsov, D. A.;
- Vorob'ev, L. E.;
- Pikhtin, N. A.;
- Egorov, A. Yu.
- Article
11
- Technical Physics Letters, 2019, v. 45, n. 11, p. 1136, doi. 10.1134/S106378501911018X
- Babichev, A. V.;
- Pashnev, D. A.;
- Gladyshev, A. G.;
- Kurochkin, A. S.;
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- Karachinsky, L. Ya.;
- Novikov, I. I.;
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- Firsov, D. A.;
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- Article
12
- Technical Physics Letters, 2018, v. 44, n. 9, p. 814, doi. 10.1134/S1063785018090249
- Mamutin, V. V.;
- Vasil’ev, A. P.;
- Lyutetskii, A. V.;
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- Article
13
- Inorganic Materials, 2011, v. 47, n. 6, p. 674, doi. 10.1134/S0020168511060197
- Sukhanov, M.;
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- Article
14
- Inorganic Materials, 2011, v. 47, n. 2, p. 178, doi. 10.1134/S0020168511020130
- Pet'kov, V.;
- Firsov, D.;
- Markin, A.;
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- Smirnova, N.
- Article
15
- JETP Letters, 2019, v. 109, n. 6, p. 377, doi. 10.1134/S0021364019060134
- Solov'ev, V. A.;
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- Article
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- Journal of Communications Technology & Electronics, 2018, v. 63, n. 3, p. 289, doi. 10.1134/S1064226918030105
- Komkov, O. S.;
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- Lvova, T. V.;
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- Article
17
- Journal of Communications Technology & Electronics, 2015, v. 60, n. 3, p. 239, doi. 10.1134/S1064226915030110
- Klimov, K.;
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- Journal of Communications Technology & Electronics, 2013, v. 58, n. 11, p. 1041, doi. 10.1134/S1064226913110089
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- Article
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- Fracture & Structural Integrity, 2024, n. 68, p. 267, doi. 10.3221/IGF-ESIS.68.18
- Fedorenko, A.;
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- Fedulov, B.;
- Lomakin, E.
- Article
20
- 2024
- Ruzhevich, M. S.;
- Firsov, D. D.;
- Komkov, O. S.;
- Mynbaev, K. D.;
- Varavin, V. S.;
- Yakushev, M. V.
- Correction Notice
21
- Semiconductors, 2024, v. 58, n. 5, p. 375, doi. 10.1134/S1063782624050014
- Adamov, R. B.;
- Melentev, G. A.;
- Podoskin, A. A.;
- Kondratov, M. I.;
- Grishin, A. E.;
- Slipchenko, S. O.;
- Sedova, I. V.;
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- Klimko, G. V.;
- Makhov, I. S.;
- Firsov, D. A.;
- Shalygin, V. A.
- Article
22
- Semiconductors, 2024, v. 58, n. 4, p. 345, doi. 10.1134/S1063782624040122
- Ruzhevich, M. S.;
- Firsov, D. D.;
- Komkov, O. S.;
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- Varavin, V. S.;
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- Article
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- Semiconductors, 2021, v. 55, n. 9, p. 710, doi. 10.1134/S1063782621080212
- Vinnichenko, M. Ya.;
- Makhov, I. S.;
- Kharin, N. Yu.;
- Graf, S. V.;
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- Article
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- Semiconductors, 2020, v. 54, n. 12, p. 1548, doi. 10.1134/S1063782620120295
- Petrushkov, M. O.;
- Abramkin, D. S.;
- Emelyanov, E. A.;
- Putyato, M. A.;
- Vasev, A. V.;
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- Yesin, M. Yu.;
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- Article
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- Komkov, O. S.;
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- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 950, doi. 10.1134/S106378261807014X
- Mamutin, V. V.;
- Vasilyev, A. P.;
- Lyutetskiy, A. V.;
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- Zadiranov, Yu. M.;
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- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 1, p. 59, doi. 10.1134/S1063782618010220
- Sofronov, A.;
- Balagula, R.;
- Firsov, D.;
- Vorobjev, L.;
- Tonkikh, A.;
- Sarkisyan, H.;
- Hayrapetyan, D.;
- Petrosyan, L.;
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- Article
28
- Semiconductors, 2017, v. 51, n. 3, p. 363, doi. 10.1134/S1063782617030034
- Balagula, R.;
- Vinnichenko, M.;
- Makhov, I.;
- Sofronov, A.;
- Firsov, D.;
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- Article
29
- Semiconductors, 2016, v. 50, n. 11, p. 1425, doi. 10.1134/S106378261611004X
- Balagula, R.;
- Vinnichenko, M.;
- Makhov, I.;
- Firsov, D.;
- Vorobjev, L.
- Article
30
- Semiconductors, 2016, v. 50, n. 10, p. 1299, doi. 10.1134/S1063782616100067
- Babichev, A.;
- Bousseksou, A.;
- Pikhtin, N.;
- Tarasov, I.;
- Nikitina, E.;
- Sofronov, A.;
- Firsov, D.;
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- Karachinsky, L.;
- Egorov, A.
- Article
31
- Semiconductors, 2016, v. 50, n. 7, p. 915, doi. 10.1134/S1063782616070253
- Vasilyev, Yu.;
- Mikhailov, N.;
- Vasilyeva, G.;
- Ivánov, Yu.;
- Zakhar'in, A.;
- Andrianov, A.;
- Vorobiev, L.;
- Firsov, D.;
- Grigoriev, M.;
- Antonov, A.;
- Ikonnikov, A.;
- Gavrilenko, V.
- Article
32
- Semiconductors, 2015, v. 49, n. 11, p. 1425, doi. 10.1134/S1063782615110081
- Firsov, D.;
- Vorobjev, L.;
- Vinnichenko, M.;
- Balagula, R.;
- Kulagina, M.;
- Vasil'iev, A.
- Article
33
- Semiconductors, 2015, v. 49, n. 11, p. 1527, doi. 10.1134/S106378261511007X
- Egorov, A.;
- Babichev, A.;
- Karachinsky, L.;
- Novikov, I.;
- Nikitina, E.;
- Tchernycheva, M.;
- Sofronov, A.;
- Firsov, D.;
- Vorobjev, L.;
- Pikhtin, N.;
- Tarasov, I.
- Article
34
- Semiconductors, 2015, v. 49, n. 1, p. 28, doi. 10.1134/S106378261501008X
- Firsov, D.;
- Vorobjev, L.;
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- Semiconductors, 2013, v. 47, n. 12, p. 1574, doi. 10.1134/S1063782613120154
- Panevin, V. Yu.;
- Sofronov, A. N.;
- Vorobjev, L. E.;
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- Shalygin, V. A.;
- Vinnichenko, M. Ya.;
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- Article
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- Semiconductors, 2013, v. 47, n. 11, p. 1513, doi. 10.1134/S1063782613110237
- Vinnichenko, M.;
- Vorobjev, L.;
- Firsov, D.;
- Mashko, M.;
- Balagula, R.;
- Belenky, G.;
- Shterengas, L.;
- Kipshidze, G.
- Article
37
- Semiconductors, 2013, v. 47, n. 2, p. 292, doi. 10.1134/S1063782613020140
- Komkov, O.;
- Firsov, D.;
- Semenov, A.;
- Meltser, B.;
- Troshkov, S.;
- Pikhtin, A.;
- Ivanov, S.
- Article
38
- Semiconductors, 2013, v. 47, n. 1, p. 146, doi. 10.1134/S1063782612120202
- Vinnichenko, M.;
- Firsov, D.;
- Vorobjev, L.;
- Mashko, M.;
- Shterengas, L.;
- Belenky, G.
- Article
39
- Semiconductors, 2012, v. 46, n. 12, p. 1529, doi. 10.1134/S1063782612120226
- Vorobjev, L.;
- Firsov, D.;
- Shalygin, V.;
- Panevin, V.;
- Sofronov, A.;
- Yakimov, A.;
- Dvurechenskii, A.;
- Tonkikh, A.;
- Werner, P.
- Article
40
- Semiconductors, 2011, v. 45, n. 11, p. 1425, doi. 10.1134/S1063782611110145
- Komkov, O.;
- Semenov, A.;
- Firsov, D.;
- Meltser, B.;
- Solov'ev, V.;
- Popova, T.;
- Pikhtin, A.;
- Ivanov, S.
- Article
41
- Semiconductors, 2010, v. 44, n. 11, p. 1394, doi. 10.1134/S1063782610110023
- Firsov, D.;
- Shalygin, V.;
- Panevin, V.;
- Melentyev, G.;
- Sofronov, A.;
- Vorobjev, L.;
- Andrianov, A.;
- Zakhar'in, A.;
- Mikhrin, V.;
- Vasil'ev, A.;
- Zhukov, A.;
- Gavrilenko, L.;
- Gavrilenko, V.;
- Antonov, A.;
- Aleshkin, V.
- Article
42
- Semiconductors, 2010, v. 44, n. 11, p. 1402, doi. 10.1134/S1063782610110047
- Vorobjev, L.;
- Vinnichenko, M.;
- Firsov, D.;
- Zerova, V.;
- Panevin, V.;
- Sofronov, A.;
- Thumrongsilapa, P.;
- Ustinov, V.;
- Zhukov, A.;
- Vasiljev, A.;
- Shterengas, L.;
- Kipshidze, G.;
- Hosoda, T.;
- Belenky, G.
- Article
43
- Semiconductors, 2010, v. 44, n. 1, p. 50, doi. 10.1134/S1063782610010082
- Firsov, D. A.;
- Shterengas, L.;
- Kipshidze, G.;
- Zerova, V. L.;
- Hosoda, T.;
- Thumrongsilapa, P.;
- Vorobjev, L. E.;
- Belenky, G.
- Article
44
- Semiconductors, 2007, v. 41, n. 5, p. 596, doi. 10.1134/S1063782607050211
- Zerova, V. L.;
- Vorob'ev, L. E.;
- Firsov, D. A.;
- Towe, E.
- Article
45
- Semiconductors, 2005, v. 39, n. 1, p. 124, doi. 10.1134/1.1852660
- Samsonenko, Yu. B.;
- Cirlin, G. E.;
- Tonkikh, A. A.;
- Polyakov, N. K.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Ustinov, V. M.;
- Vorob'ev, L. E.;
- Firsov, D. A.;
- Shalygin, V. A.;
- Zakharov, N. D.;
- Werner, P.;
- Andreev, A.
- Article
46
- Semiconductors, 2004, v. 38, n. 12, p. 1409, doi. 10.1134/1.1836062
- Zerova, V. L.;
- Kapaev, V. V.;
- Vorob'ev, L. E.;
- Firsov, D. A.;
- Schmidt, S.;
- Zibik, E. A.;
- Seilmeier, A.;
- Towe, E.
- Article
47
- Semiconductors, 2004, v. 38, n. 5, p. 565, doi. 10.1134/1.1755893
- Agekyan, V. F.;
- Stepanov, Yu A.;
- Akai, I.;
- Karasava, T.;
- Vorob'ev, L. E.;
- Firsov, D. A.;
- Zhukov, A. E.;
- Ustinov, V. M.;
- A. Zeilmeyer;
- Shmidt, S.;
- Hanna, S.;
- Zibik, E.
- Article
48
- Semiconductors, 2003, v. 37, n. 5, p. 586
- Vorob’ev, L. E.;
- Danilov, S. N.;
- Zerova, V. L.;
- Firsov, D. A.
- Article
49
- Refractories & Industrial Ceramics, 2013, v. 54, n. 1, p. 1, doi. 10.1007/s11148-013-9538-2
- Demidov, K.;
- Vitushchenko, M.;
- Smirnov, L.;
- Zolin, A.;
- Babenko, A.;
- Bogomyakov, V.;
- Vozchikov, A.;
- Yablonskii, V.;
- Dobromilov, A.;
- Borisova, T.;
- Firsov, D.;
- Krivykh, L.;
- Kutdusova, Kh.
- Article
50
- Journal of Structural Chemistry, 2017, v. 58, n. 4, p. 782, doi. 10.1134/S0022476617040205
- Tolmachev, A.;
- Klimov, A.;
- Anuchin, K.;
- Firsov, D.
- Article