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The mass transport phenomenon through pericarp during the nixtamalization process.
Published in:
Food & Bioproducts Processing: Transactions of the Institution of Chemical Engineers Part C, 2016, v. 100, n. Part A, p. 477, doi. 10.1016/j.fbp.2016.09.008
By:
- Gutiérrez-Cortez, E.;
- Rojas-Molina, I.;
- Zambrano-Zaragoza, M. L.;
- Espinosa-Arbeláez, D. G.;
- Rojas, A.;
- García, J. C.;
- Cornejo-Villegas, M. A.;
- Rodríguez-García, M. E.
Publication type:
Article
Influence of substrate temperature and N<sub>2</sub>/Ar flow ratio on the stoichiometry, structure and hardness of TaNx coatings deposited by DC reactive sputtering.
Published in:
Surface & Interface Analysis: SIA, 2015, v. 47, n. 11, p. 1015, doi. 10.1002/sia.5808
By:
- Valdez, K.;
- Espinosa‐Arbeláez, D. G.;
- García‐Herrera, J. E.;
- Muñoz‐Saldaña, J.;
- Farias, M. H.;
- De la Cruz, W.
Publication type:
Article
Effect of HVOF Process Parameters on TiO<sub>2</sub> Coatings: An Approach Using DoE and First-Order Process Maps.
Published in:
Journal of Thermal Spray Technology, 2019, v. 28, n. 6, p. 1160, doi. 10.1007/s11666-019-00895-9
By:
- Clavijo-Mejía, G. A.;
- Espinosa-Arbeláez, D. G.;
- Hermann-Muñoz, J. A.;
- Giraldo-Betancur, A. L.;
- Muñoz-Saldaña, J.
Publication type:
Article
Análisis por Fotorreflectancia en Pozos Cuánticos de InGaAs/InAlAs Usando Formas de Líneas Asimétricas.
Published in:
Revista Colombiana de Física, 2008, v. 40, n. 2, p. 271
By:
- Zambrano, S. E.;
- Fonthal, G.;
- Prías-Barragán, J. J.;
- Espinosa-Arbeláez, D. G.;
- Racedo, F.;
- Bertel, R.;
- Ariza-Calderón, H.
Publication type:
Article
CARACTERIZACIÓN ELÉCTRICA DE PELÍCULAS SEMICONDUCTORAS DE Ga1-xInxAsySb1-y.
Published in:
Revista Colombiana de Física, 2006, v. 38, n. 2, p. 505
By:
- Segura, J.;
- Tirado-Mejía, I.;
- Ortiz, C.;
- Espinosa Arbeláez, D. G.;
- Villada, A.;
- Gutiérrez, D. F.;
- Gómez, M. E.;
- Ariza-Calderón, H.
Publication type:
Article
DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA DE LA ENERGÍA DE LA TRANSICIÓN FUNDAMENTAL Y EL PARÁMETRO DE ENSANCHAMIENTO EN MUESTRAS GaInAsSb DETERMINADA POR FOTORREFLECTANCIA.
Published in:
Revista Colombiana de Física, 2006, v. 38, n. 1, p. 125
By:
- Espinosa-Arbeláez, D. G.;
- Prias-Barragán, J. J.;
- Álvarez, G. A.;
- Torres, L.;
- Fonthal, G.;
- Ariza-Calderdón, H.
Publication type:
Article

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The mass transport phenomenon through pericarp during the nixtamalization process.

Influence of substrate temperature and N<sub>2</sub>/Ar flow ratio on the stoichiometry, structure and hardness of TaNx coatings deposited by DC reactive sputtering.

Effect of HVOF Process Parameters on TiO<sub>2</sub> Coatings: An Approach Using DoE and First-Order Process Maps.

Análisis por Fotorreflectancia en Pozos Cuánticos de InGaAs/InAlAs Usando Formas de Líneas Asimétricas.

CARACTERIZACIÓN ELÉCTRICA DE PELÍCULAS SEMICONDUCTORAS DE Ga1-xInxAsySb1-y.

DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA DE LA ENERGÍA DE LA TRANSICIÓN FUNDAMENTAL Y EL PARÁMETRO DE ENSANCHAMIENTO EN MUESTRAS GaInAsSb DETERMINADA POR FOTORREFLECTANCIA.