热屏结构对300 mm 半导体级单晶硅生长过程温度 分布影响的数值模拟.Published in:Journal of Synthetic Crystals, 2024, v. 53, n. 7, p. 1196By:倪浩然;陈 亚;王黎光;芮 阳;赵泽慧;马 成;刘 洁;张兴茂;赵延祥;杨少林Publication type:Article
横向磁场下坩埚转速对半导体级直拉单晶硅熔体中 流场与氧浓度的影响机制Published in:Journal of Synthetic Crystals, 2023, v. 52, n. 9, p. 1641By:王黎光;芮 阳;盛 旺;马吟霜;马 成;陈炜南;邹啟鹏;杜朋轩;黄柳青;罗学涛Publication type:Article