Works matching IS 10637826 AND DT 2018 AND VI 52 AND IP 7
1
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 864, doi. 10.1134/S1063782618070175
- Ponomarev, D. S.;
- Khabibullin, R. A.;
- Klochkov, A. N.;
- Yachmenev, A. E.;
- Bugaev, A. S.;
- Khusyainov, D. I.;
- Buriakov, A. M.;
- Bilyk, V. P.;
- Mishina, E. D.
- Article
2
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 859, doi. 10.1134/S1063782618070163
- Parkhomenko, H. P.;
- Solovan, M. N.;
- Maryanchuk, P. D.
- Article
3
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 926, doi. 10.1134/S1063782618070254
- Vikhrov, S. P.;
- Vishnyakov, N. V.;
- Gudzev, V. V.;
- Ermachikhin, A. V.;
- Shilina, D. V.;
- Litvinov, V. G.;
- Maslov, A. D.;
- Mishustin, V. G.;
- Terukov, E. I.;
- Titov, A. S.
- Article
4
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 902, doi. 10.1134/S1063782618070059
- Drozdov, K. A.;
- Krylov, I. V.;
- Chizhov, A. S.;
- Rumyantseva, M. N.;
- Ryabova, L. I.;
- Khokhlov, D. R.
- Article
5
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 954, doi. 10.1134/S1063782618070151
- Mitrofanov, M. I.;
- Levitskii, I. V.;
- Voznyuk, G. V.;
- Tatarinov, E. E.;
- Rodin, S. N.;
- Kaliteevski, M. A.;
- Evtikhiev, V. P.
- Article
6
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 950, doi. 10.1134/S106378261807014X
- Mamutin, V. V.;
- Vasilyev, A. P.;
- Lyutetskiy, A. V.;
- Ilyinskaya, N. D.;
- Zadiranov, Yu. M.;
- Sofronov, A. N.;
- Firsov, D. A.;
- Vorobjev, L. E.;
- Maleev, N. A.;
- Ustinov, V. M.
- Article
7
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 897, doi. 10.1134/S1063782618070126
- Kurbanov, S. S.;
- Urolov, Sh. Z.;
- Shaymardanov, Z. Sh.;
- Cho, H. D.;
- Kang, T. W.
- Article
8
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 942, doi. 10.1134/S1063782618070072
- Emtsev, V. V.;
- Gushchina, E. V.;
- Petrov, V. N.;
- Tal’nishnih, N. A.;
- Chernyakov, A. E.;
- Shabunina, E. I.;
- Shmidt, N. M.;
- Usikov, A. S.;
- Kartashova, A. P.;
- Zybin, A. A.;
- Kozlovski, V. V.;
- Kudoyarov, M. F.;
- Saharov, A. V.;
- Oganesyan, A. G.;
- Poloskin, D. S.;
- Lundin, V. V.
- Article
9
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 934, doi. 10.1134/S1063782618070035
- Bochkareva, N. I.;
- Shreter, Y. G.
- Article
10
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 931, doi. 10.1134/S1063782618070230
- Terukov, E. I.;
- Abramov, A. S.;
- Andronikov, D. A.;
- Emtsev, K. V.;
- Panaiotti, I. E.;
- Titov, A. S.;
- Shelopin, G. G.
- Article
11
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 881, doi. 10.1134/S1063782618070205
- Article
12
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 921, doi. 10.1134/S1063782618070047
- Article
13
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 914, doi. 10.1134/S1063782618070266
- Vinogradov, A. Ya.;
- Grudinkin, S. A.;
- Besedina, N. A.;
- Koniakhin, S. V.;
- Rabchinskii, M. K.;
- Eidelman, E. D.;
- Golubev, V. G.
- Article
14
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 907, doi. 10.1134/S1063782618070102
- Ivanenko, I. P.;
- Krasnoshchekov, S. V.;
- Pavlikov, A. V.
- Article
15
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 828, doi. 10.1134/S1063782618070217
- Skipetrov, E. P.;
- Konstantinov, N. S.;
- Skipetrova, L. A.;
- Knotko, A. V.;
- Slynko, V. E.
- Article
16
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 821, doi. 10.1134/S1063782618070138
- Kurchatov, I. S.;
- Kustov, E. F.
- Article
17
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 891, doi. 10.1134/S1063782618070242
- Tregulov, V. V.;
- Litvinov, V. G.;
- Ermachikhin, A. V.
- Article
18
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 885, doi. 10.1134/S1063782618070114
- Kozyukhin, S. A.;
- Bedin, S. A.;
- Rudakovskaya, P. G.;
- Ivanova, O. S.;
- Ivanov, V. K.
- Article
19
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 877, doi. 10.1134/S1063782618070187
- Pozina, G.;
- Kaliteevski, M. A.;
- Nikitina, E. V.;
- Gubaidullin, A. R.;
- Ivanov, K. A.;
- Egorov, A. Yu.
- Article
20
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 870, doi. 10.1134/S1063782618070199
- Salii, R. A.;
- Kosarev, I. S.;
- Mintairov, S. A.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Shvarts, M. Z.;
- Kalyuzhnyy, N. A.
- Article
21
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 853, doi. 10.1134/S1063782618070084
- Figarova, S. R.;
- Huseynov, H. I.;
- Figarov, V. R.
- Article
22
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 849, doi. 10.1134/S1063782618070023
- Avakyants, L. P.;
- Bokov, P. Yu.;
- Kazakov, I. P.;
- Bazalevsky, M. A.;
- Deev, P. M.;
- Chervyakov, A. V.
- Article
23
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 843, doi. 10.1134/S1063782618070229
- Tereshchenko, A. N.;
- Korolev, D. S.;
- Mikhaylov, A. N.;
- Belov, A. I.;
- Nikolskaya, A. A.;
- Pavlov, D. A.;
- Tetelbaum, D. I.;
- Steinman, E. A.
- Article
24
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 840, doi. 10.1134/S1063782618070060
- Jahangirli, Z. A.;
- Hashimzade, F. M.;
- Huseynova, D. A.;
- Mehdiyev, B. G.;
- Mustafaev, N. B.
- Article
25
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 7, p. 836, doi. 10.1134/S1063782618070096
- Ishchenko, D. V.;
- Neizvestny, I. G.
- Article
