Works by Maximov, M. V.
1
- International Journal of Nanoscience, 2007, v. 6, n. 3/4, p. 197, doi. 10.1142/S0219581X07004572
- BLOKHIN, S. A.;
- MAXIMOV, M. V.;
- USOV, O. A.;
- NASHCHEKIN, A. V.;
- ARAKCHEEVA, E. M.;
- TANKLEVSKAYA, E. M.;
- GUREVICH, S. A.;
- KONNIKOV, S. G.;
- ZHUKOV, A. E.;
- LEDENTSOV, N. N.;
- USTINOV, V. M.
- Article
2
- International Journal of Nanoscience, 2007, v. 6, n. 3/4, p. 283, doi. 10.1142/S0219581X07004742
- KRYZHANOVSKAYA, N. V.;
- GLADYSHEV, A. G.;
- BLOKHIN, S. A.;
- VASIL'EV, A. P.;
- SEMENOVA, E. S.;
- ZHUKOV, A. E.;
- MAXIMOV, M. V.;
- LEDENTSOV, N. N.;
- USTINOV, V. M.;
- WARMING, T.;
- WIECZOREK, W.;
- BIMBERG, D.
- Article
3
- Semiconductors, 1999, v. 33, n. 9, p. 972, doi. 10.1134/1.1187815
- Cyrlin, G. E.;
- Petrov, V. N.;
- Dubrovskii, V. G.;
- Samsonenko, Yu. B.;
- Polyakov, N. K.;
- Golubok, A. O.;
- Masalov, S. A.;
- Komyak, N. I.;
- Ustinov, V. M.;
- Egorov, A. Yu.;
- Kovsh, A. R.;
- Maximov, M. V.;
- Tsatsul’nikov, A. F.;
- Volovik, B. V.;
- Zhukov, A. E.;
- Kop’ev, P. S.;
- Ledentsov, N. N.;
- Alferov, Zh. I.;
- Bimberg, D.
- Article
4
- Technical Physics Letters, 2023, v. 49, p. S330, doi. 10.1134/S1063785023010236
- Makhov, I. S.;
- Beckman, A. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Guseva, Yu. A.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
5
- Technical Physics Letters, 2023, v. 49, p. S288, doi. 10.1134/S1063785023010285
- Payusov, A. S.;
- Mitrofanov, M. I.;
- Kornyshov, G. O.;
- Serin, A. A.;
- Voznyuk, G. V.;
- Kulagina, M. M.;
- Evtikhiev, V. P.;
- Gordeev, N. Yu.;
- Maximov, M. V.;
- Breuer, S.
- Article
6
- Technical Physics Letters, 2023, v. 49, p. S219, doi. 10.1134/S1063785023900832
- Maximov, M. V.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Gordeev, N. Yu.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Zhukov, A. E.
- Article
7
- Technical Physics Letters, 2023, v. 49, p. S196, doi. 10.1134/S1063785023900728
- Gordeev, N. Yu.;
- Moiseev, E. I.;
- Fominykh, N. A.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Beckman, A. A.;
- Kornyshov, G. O.;
- Zubov, F. I.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Zhukov, A. E.;
- Maximov, M. V.
- Article
8
- Technical Physics Letters, 2022, v. 48, n. 3, p. 161, doi. 10.1134/S1063785022040186
- Mintairov, S. A.;
- Blokhin, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Maximov, M. V.;
- Maleev, N. A.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Salii, R. A.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
9
- Technical Physics Letters, 2022, v. 48, n. 2, p. 74, doi. 10.1134/S1063785022030063
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Melnichenko, I. A.;
- Bukatin, A. S.;
- Kornev, A. A.;
- Filatov, N. A.;
- Shcherbak, S. A.;
- Lipovskii, A. A.;
- Dragunova, A. S.;
- Kulagina, M. M.;
- Likhachev, A. I.;
- Fetisova, M. V.;
- Reduto, I. V.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
10
- Technical Physics Letters, 2020, v. 46, n. 8, p. 783, doi. 10.1134/S1063785020080295
- Zhukov, A. E.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochii, A. M.;
- Dragunova, A. S.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Kulagina, M. M.;
- Mozharov, A. M.;
- Kadinskaya, S. A.;
- Simchuk, O. I.;
- Zubov, F. I.;
- Maximov, M. V.
- Article
11
- Technical Physics Letters, 2020, v. 46, n. 7, p. 629, doi. 10.1134/S1063785020070111
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Kharchenko, A. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
12
- Technical Physics Letters, 2020, v. 46, n. 6, p. 515, doi. 10.1134/S1063785020060152
- Zhukov, A. E.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochii, A. M.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Kulagina, M. M.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyi, N. A.;
- Zubov, F. I.;
- Maximov, M. V.
- Article
13
- Technical Physics Letters, 2019, v. 45, n. 12, p. 1178, doi. 10.1134/S106378501912006X
- Fetisova, M. V.;
- Kornev, A. A.;
- Bukatin, A. S.;
- Filatov, N. A.;
- Eliseev, I. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Reduto, I. V.;
- Moiseev, E. I.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
14
- Technical Physics Letters, 2019, v. 45, n. 10, p. 994, doi. 10.1134/S1063785019100158
- Zubov, F. I.;
- Moiseev, E. I.;
- Kornyshov, G. O.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Payusov, A. S.;
- Kulagina, M. M.;
- Kalyuzhnyi, N. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
15
- Technical Physics Letters, 2019, v. 45, n. 8, p. 847, doi. 10.1134/S1063785019080315
- Zhukov, A. E.;
- Moiseev, E. I.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Zubov, F. I.;
- Mozharov, A. M.;
- Kalyuzhnyi, N. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Blokhin, S. A.;
- Maximov, M. V.
- Article
16
- Technical Physics Letters, 2019, v. 45, n. 2, p. 163, doi. 10.1134/S1063785019020305
- Nadtochiy, A. M.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Kornyshov, G. O.;
- Serin, A. A.;
- Payusov, A. S.;
- Nevedomsky, V. N.;
- Gordeev, N. Yu.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
17
- Semiconductors, 2024, v. 58, n. 2, p. 191, doi. 10.1134/S1063782624020179
- Zubov, F. I.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Beckman, A. A.;
- Moiseev, E. I.;
- Salii, Yu. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Nikolaev, A. V.;
- Sherstnev, E. V.;
- Maximov, M. V.
- Article
18
- Semiconductors, 2023, v. 57, n. 13, p. 632, doi. 10.1134/S1063782623050184
- Zhukov, A. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Makhov, I. S.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Fominykh, N. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhyy, N. A.;
- Zubov, F. I.;
- Maximov, M. V.
- Article
19
- Semiconductors, 2023, v. 57, n. 13, p. 604, doi. 10.1134/S1063782623030120
- Maximov, M. V.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Kornyshov, G. O.;
- Simchuk, O. I.;
- Gordeev, N. Yu.;
- Beckman, A. A.;
- Payusov, A. S.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Zhukov, A. E.
- Article
20
- Semiconductors, 2023, v. 57, n. 13, p. 594, doi. 10.1134/S1063782623050093
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Blokhin, S. A.;
- Makhov, I. S.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Fominykh, N. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Kaluyzhnyy, N. A.;
- Guseva, Yu. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Zubov, F. I.;
- Kolodeznyi, E. S.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
21
- Semiconductors, 2023, v. 57, n. 12, p. 539, doi. 10.1134/S1063782623080079
- Kornyshov, G. O.;
- Gordeev, N. Yu.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Beckman, A. A.;
- Payusov, A. S.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Maximov, M. V.
- Article
22
- Semiconductors, 2023, v. 57, n. 11, p. 513, doi. 10.1134/S1063782623090191
- Zhukov, A. E.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Gordeev, N. Yu.;
- Serin, A. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Payusov, A. S.;
- Kornyshov, G. O.;
- Maximov, M. V.;
- Wang, Y.
- Article
23
- Semiconductors, 2023, v. 57, n. 11, p. 488, doi. 10.1134/S1063782623080110
- Nadtochiy, A. M.;
- Melnichenko, I. A.;
- Ivanov, K. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Maximov, M. V.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
24
- Semiconductors, 2023, v. 57, n. 6, p. 310, doi. 10.1134/S1063782623080146
- Payusov, A. S.;
- Beckman, A. A.;
- Kornyshov, G. O.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Maximov, M. V.;
- Gordeev, N. Yu.
- Article
25
- Semiconductors, 2022, v. 56, n. 6, p. 329, doi. 10.1134/S106378262207003X
- Kharchenko, A. A.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Serin, A. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Zhukov, A. E.;
- Maximov, M. V.;
- Breuer, S.
- Article
26
- Semiconductors, 2022, v. 56, n. 4, p. 246, doi. 10.1134/S1063782622040029
- Muretova, M. E.;
- Zubov, F. I.;
- Asryan, L. V.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
27
- Semiconductors, 2022, v. 56, n. 2, p. 139, doi. 10.1134/S1063782622010195
- Zhukov, A. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Moiseev, E. I.;
- Dragunova, A. S.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Maximov, M. V.;
- Gordeev, N. Yu.
- Article
28
- Semiconductors, 2021, v. 55, n. 1, p. S67, doi. 10.1134/S1063782621090256
- Zhukov, A. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Zubov, F. I.;
- Fetisova, M. V.;
- Maximov, M. V.;
- Gordeev, N. Yu.
- Article
29
- Semiconductors, 2021, v. 55, n. 3, p. 333, doi. 10.1134/S1063782621030167
- Shernyakov, Yu. M.;
- Gordeev, N. Yu.;
- Payusov, A. S.;
- Serin, A. A.;
- Kornyshov, G. O.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Kulagina, M. M.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
30
- Semiconductors, 2021, v. 55, n. 2, p. 250, doi. 10.1134/S1063782621020226
- Zhukov, A. E.;
- Kryzhanovskaya, N.V.;
- Moiseev, E. I.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Maximov, M. V.;
- Dragunova, A. S.
- Article
31
- Semiconductors, 2020, v. 54, n. 14, p. 1811, doi. 10.1134/S1063782620140237
- Payusov, A. S.;
- Serin, A. A.;
- Kornyshov, G. O.;
- Kulagina, M. M.;
- Mitrofanov, M. I.;
- Voznyuk, G. V.;
- Evtikhiev, V. P.;
- Maximov, M. V.;
- Gordeev, N. Yu.
- Article
32
- Semiconductors, 2020, v. 54, n. 6, p. 677, doi. 10.1134/S1063782620060172
- Zhukov, A. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Moiseev, E. I.;
- Kulagina, M. M.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Maximov, M. V.
- Article
33
- Semiconductors, 2020, v. 54, n. 3, p. 366, doi. 10.1134/S1063782620030203
- Zubov, F. I.;
- Muretova, M. E.;
- Payusov, A. S.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.;
- Asryan, L. V.
- Article
34
- Semiconductors, 2020, v. 54, n. 2, p. 263, doi. 10.1134/S1063782620020177
- Moiseev, E. I.;
- Maximov, M. V.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Simchuk, O. I.;
- Kulagina, M. M.;
- Kadinskaya, S. A.;
- Guina, M.;
- Zhukov, A. E.
- Article
35
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 14, p. 1888, doi. 10.1134/S106378261914015X
- Moiseev, E. I.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Zubov, F. I.;
- Mikhailovskii, M. S.;
- Abramov, A. N.;
- Maximov, M. V.;
- Kulagina, M. M.;
- Guseva, Yu. A.;
- Livshits, D. A.;
- Zhukov, A. E.
- Article
36
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 14, p. 1880, doi. 10.1134/S1063782619140185
- Savelyev, A. V.;
- Breuer, S.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.;
- Shchukin, V. A.;
- Ledentsov, N. N.
- Article
37
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 14, p. 1876, doi. 10.1134/S1063782619140173
- Savelyev, A. V.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.;
- Shchukin, V. A.;
- Ledentsov, N. N.
- Article
38
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 12, p. 1699, doi. 10.1134/S1063782619160218
- Nadtochiy, A. M.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Kulagina, M. M.;
- Payusov, A. S.;
- Gordeev, N. Yu.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.;
- Denneulin, T.;
- Cherkashin, N.;
- Shchukin, V. A.;
- Ledentsov, N. N.
- Article
39
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 11, p. 1489, doi. 10.1134/S1063782619110150
- Nadtochiy, A. M.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Maximov, M. V.;
- Sannikov, D. A.;
- Yagafarov, T. F.;
- Zhukov, A. E.
- Article
40
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 10, p. 1405, doi. 10.1134/S1063782619100087
- Gordeev, N. Yu.;
- Payusov, A. S.;
- Maximov, M. V.
- Article
41
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 8, p. 1099, doi. 10.1134/S1063782619080220
- Zhukov, A. E.;
- Moiseev, E. I.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Blokhin, S. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Guseva, Yu. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Mozharov, A. M.;
- Zubov, F. I.;
- Maximov, M. V.
- Article
42
- Semiconductors, 2019, v. 53, n. 2, p. 200, doi. 10.1134/S1063782619020106
- Gordeev, N. Yu.;
- Payusov, A. S.;
- Mukhin, I. S.;
- Serin, A. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Guseva, Yu. A.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Zadiranov, Yu. M.;
- Maximov, M. V.
- Article
43
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 14, p. 1905, doi. 10.1134/S1063782618140336
- Zubov, F. I.;
- Muretova, M. E.;
- Asryan, L. V.;
- Semenova, E. S.;
- Maximov, M. V.;
- Korenev, V. V.;
- Savelyev, A. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
44
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 14, p. 1901, doi. 10.1134/S1063782618140233
- Payusov, A. S.;
- Gordeev, N. Yu.;
- Serin, A. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Mintairov, S. A.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
45
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 12, p. 1621, doi. 10.1134/S1063782618120059
- Asryan, L. V.;
- Zubov, F. I.;
- BalezinaPolubavkina, Yu. S.;
- Moiseev, E. I.;
- Muretova, M. E.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.
- Article
46
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 11, p. 1462, doi. 10.1134/S1063782618110283
- Zhukov, A. E.;
- Gordeev, N. Yu.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Payusov, A. S.;
- Serin, A. A.;
- Kulagina, M. M.;
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Maximov, M. V.
- Article
47
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 10, p. 1311, doi. 10.1134/S1063782618100093
- Maximov, M. V.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Payusov, A. S.;
- Vasil’ev, A. P.;
- Ustinov, V. M.;
- Serin, A. A.;
- Gordeev, N. Yu.;
- Zhukov, A. E.
- Article
48
- Semiconductors, 2018, v. 52, n. 10, p. 1249, doi. 10.1134/S1063782618100147
- Mintairov, S. A.;
- Kalyuzhnyy, N. A.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Maximov, M. V.;
- Nevedomskiy, V. N.;
- Sokura, L. A.;
- Rouvimov, S. S.;
- Shvarts, M. Z.;
- Zhukov, A. E.
- Article
49
- Semiconductors, 2013, v. 47, n. 12, p. 1656, doi. 10.1134/S1063782613120233
- Zubov, F. I.;
- Shernyakov, Yu. M.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.;
- Livshits, D. A.;
- Payusov, A. S.;
- Nadtochiy, A. M.;
- Savelyev, A. V.;
- Kryzhanovskaya, N. V.;
- Gordeev, N. Yu.
- Article
50
- Semiconductors, 2010, v. 44, n. 10, p. 1308, doi. 10.1134/S106378261010012X
- Shatalina, E. S.;
- Blokhin, S. A.;
- Nadtochy, A. M.;
- Payusov, A. S.;
- Savelyev, A. V.;
- Maximov, M. V.;
- Zhukov, A. E.;
- Ledentsov, N. N.;
- Kovsh, A. R.;
- Mikhrin, S. S.;
- Ustinov, V. M.
- Article
