We found a match
Your institution may have access to this item. Find your institution then sign in to continue.
- Title
RESEARCH INTO EFFECT OF ELECTROCHEMICAL ETCHING CONDITIONS ON THE MORPHOLOGY OF POROUS GALLIUM ARSENIDE.
- Authors
Vambol, S.; Bogdanov, I.; Vambol, V.; Suchikova, Y.; Lopatina, H.; Tsybuliak, N.
- Abstract
Усовершенствован способ формирования пористого арсенида галлия в растворе соляной кислоты. Исследованы основные закономерности формирования пористых пространств. Показано, что морфологические свойства porGaAs зависят от условий травления. Исследовано влияние плотности тока, времени травления и состава электролита на поверхностную пористость, толщину пористого слоя и диаметр пор
- Subjects
GALLIUM arsenide; ELECTROCHEMISTRY; CRYSTAL morphology
- Publication
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2017, Vol 90, Issue 5, p22
- ISSN
1729-3774
- Publication type
Article
- DOI
10.15587/1729-4061.2017.118725