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Characterization of GaAs and GaAs/Cr/GaAs interfacial layers fabricated via magnetron sputtering on silicon (100).
- Published in:
- Digest Journal of Nanomaterials & Biostructures (DJNB), 2024, v. 19, n. 2, p. 669, doi. 10.15251/DJNB.2024.192.669
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Structural and optical study of indium and gallium arsenide nanostructures prepared by magnetron sputtering.
- Published in:
- Universitas Scientiarum, 2019, v. 24, n. 3, p. 523, doi. 10.11144/Javeriana.SC24-3.saos
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Caracterización de capas de GaAs y GaAsMn depositadas por magnetrón sputtering.
- Published in:
- Superficies y Vacío, 2016, v. 29, n. 3, p. 98
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Estudio de la influencia de la segregación de indio y del campo eléctrico interno en las propiedades ópticas de heteroestructuras de pozos cuánticos III-V.
- Published in:
- Revista EIA, 2021, v. 18, n. 36, p. 1, doi. 10.24050/reia.v18i36.1511
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CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DELGADAS DE AlGaAs OBTENIDAS POR MAGNETRON SPUTTERING RF.
- Published in:
- Momento: Revista de Física, 2018, n. 57, p. 50, doi. 10.15446/mo.n57.68732
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- Article
DIFUSIVIDAD TÉRMICA DE MONO-CRISTALES DE GaSb Y Si(100).
- Published in:
- Momento: Revista de Física, 2015, n. 51, p. 31, doi. 10.15446/mo.n51.56188
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- Article
ANNEALING EFFECT ON VIBRATION MODES OF ALUMINUM NITRIDE THIN FILMS.
- Published in:
- Momento: Revista de Física, 2014, n. 48, p. 64
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PROPIEDADES FÍSICAS DE PARTÍCULAS DE InN OBTENIDAS POR PULVERIZACIÓN CATÓDICA RF ASISTIDA POR CAMPO MAGNÉTICO.
- Published in:
- Momento: Revista de Física, 2014, n. 48, p. 34
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CARACTERIZACÍON DE PELICULAS DE FOSFURO DE GALIO NITROGENADO.
- Published in:
- Momento: Revista de Física, 2012, n. 45, p. 34
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Estimación simultánea de la sensibilidad y la especificidad utilizando la metodologóa GSK en presencia de covariables.
- Published in:
- Comunicaciones en Estadística, 2023, v. 16, n. 1, p. 33
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Síndrome de Activación en Niños y Adolescentes Tratados con Inhibidores Selectivos de la Recaptación de Serotonina.
- Published in:
- Revista Colombiana de Psiquiatria, 2024, v. 53, n. 2, p. 184, doi. 10.1016/j.rcp.2022.03.005
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Growth of GaP<sub>1- x</sub>N<sub> x</sub> thin films by rf sputtering.
- Published in:
- Physica Status Solidi (B), 2005, v. 242, n. 9, p. 1887, doi. 10.1002/pssb.200461707
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Puntos Cuánticos Autoensamblados de InAs Crecidos Sobre Substratos de GaAs por Epitaxia de Haces Moleculares.
- Published in:
- Revista Colombiana de Física, 2008, v. 40, n. 1, p. 183
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Esfuerzos Biaxial y de Aleación en Capas de GaAsN Crecidas por Epitaxia de Haces Moleculares.
- Published in:
- Revista Colombiana de Física, 2008, v. 40, n. 1, p. 40
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Photoreflectance study of the GaAs buffer layer in InAs/GaAs quantum dots.
- Published in:
- Superficies y Vacío, 2017, v. 30, n. 4, p. 56, doi. 10.47566/2017_syv30_1-040056
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Structural, optical and morphological properties of In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As layers obtained by RF magnetron sputtering.
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- Superficies y Vacío, 2016, v. 29, n. 2, p. 32
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Estudio del tiempo característico de llenado de trampas en GaAs y en puntos cuánticos de InAs por medio del análisis de espectros de fotorreflectancia.
- Published in:
- Superficies y Vacío, 2015, v. 28, n. 1, p. 1
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Polycristalline growth of zinc blende gallium arsenide layers by R.F. magnetron sputtering.
- Published in:
- Superficies y Vacío, 2014, v. 27, n. 3, p. 102
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Análisis de series temporales en estaciones meteorológicas para la predicción de la precipitación en la ciudad de Manizales, Colombia.
- Published in:
- Revista de Climatología, 2023, v. 23, p. 58, doi. 10.59427/rcli/2023/v23.58-70
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