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- Title
LiBSi<sub>2</sub>: A Tetrahedral Semiconductor Framework from Boron and Silicon Atoms Bearing Lithium Atoms in the Channels.
- Authors
Zeilinger, Michael; van Wüllen, Leo; Benson, Daryn; Kranak, Verina F.; Konar, Sumit; Fässler, Thomas F.; Häussermann, Ulrich
- Abstract
Silicium schluckt Bor: Ein neuartiges offenes Tetraedergerüst (OTF) der Zintl ‐ Phase LiBSi2 wurde bei hohem Druck aus einer Mischung von LiB und elementarem Silicium erhalten. Die Verbindung zeigt eine neue Topologie im B ‐ Si ‐ Netz (tum genannt), welche die Li ‐ Atome in ihren Kanälen einlagert (siehe Bild). LiBSi2 ist das erste Beispiel für ein geordnetes gemeinsames Gerüst aus B ‐ und Si ‐ Atomen, in dem die B ‐ Atome ausschließlich B ‐ Si ‐ Kontakte eingehen.
- Subjects
TETRAHEDRAL molecules; SEMICONDUCTORS; SILICON; BORON; LITHIUM; ELECTRONIC structure
- Publication
Angewandte Chemie, 2013, Vol 125, Issue 23, p6094
- ISSN
0044-8249
- Publication type
Article
- DOI
10.1002/ange.201301540